Kulingana na jarida la United Daily News la Taiwan, Li Peiying, meneja mkuu wa Tawi la Asia Kusini, alitangaza mnamo tarehe 10 kwamba amemaliza utafiti huru na maendeleo ya teknolojia ya 10-nanometer DRAM na ataanza utengenezaji wa kesi katika nusu ya pili ya mwaka huu.
Inaripotiwa kuwa tundu za kumbukumbu za DRAM za kimataifa zinadhibitiwa sana na Samsung, SK Hynix, na Micron. Sehemu yao ni zaidi ya 95%. Sababu muhimu ni kwamba hati hizi tatu za teknolojia huunda kizingiti cha juu sana. Ni ngumu kwa kampuni zingine kuvunja. .
Tawi la Asia Kusini sasa linaangazia teknolojia ya 20nm, na chanzo cha teknolojia ni Micron. Kwa kuanzishwa kwa mchakato wa 10 wa nanometer katika teknolojia huru, inamaanisha kuwa haitegemei tena idhini ya Micron katika siku zijazo, na kila bidhaa inatengenezwa na kampuni yenyewe. Gharama zimepunguzwa sana.
Li Peiying alisema kuwa Nanyake amefanikiwa kukuza teknolojia mpya ya utengenezaji kumbukumbu kwa 10nm DRAM, ambayo imewezesha shrinkage endelevu ya bidhaa za DRAM kwa angalau alama tatu. Kizazi cha kwanza cha bidhaa zinazoongoza za 10nm, 8Gb DDR4, LPDDR4 na DDR5, kitajengwa kwa teknolojia ya mchakato wa kujitegemea na majukwaa ya teknolojia ya bidhaa, na itaingia katika uzalishaji wa jaribio la bidhaa baada ya nusu ya pili ya 2020.
Teknolojia ya mchakato wa kizazi cha pili cha nanometer imeanza utafiti na maendeleo, na utengenezaji wa majaribio unatarajiwa kuletwa ifikapo 2022. Teknolojia ya mchakato wa kizazi cha 10 cha nanometer itatengenezwa baadaye. Alisisitiza kwamba baada ya kuingia mchakato wa nanometer 10, Nanya atazingatia teknolojia ya kujiendeleza, kupunguza gharama za leseni na kuboresha sana ufanisi.
Sambamba na maendeleo ya mchakato wa nanometer 10, matumizi ya mji mkuu wa Nanya yatakuwa ya juu zaidi ya Yu bilioni 5.5 mwaka jana. Li Peiying alisema kuwa pamoja na kuboresha gharama, maendeleo ya kujitegemea ya Nanya ya teknolojia ya mchakato wa nanometer itasaidia kufahamu fursa za maendeleo na maendeleo ya kiteknolojia kuelekea bidhaa mpya zenye unyevu.